“芯”向改日 这家行业少壮引颈车规级芯片国产化

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“芯”向改日 这家行业少壮引颈车规级芯片国产化
发布日期:2024-11-06 05:54    点击次数:141

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  四肢第三代半导体的代表材料,碳化硅改日的市集后劲具有无尽的思象空间。2024年4月,芯联集成(688469)8英寸碳化硅工程批奏凯下线,鲜艳着芯联集成崇拜成为民众第二家、国内首家开启8英寸碳化硅器件制造的晶圆厂。

  2018年脱胎于中芯国际特色工艺奇迹部的芯联集成,以晶圆代工为来源,朝上触达盘算推算工作,向下蔓延到模组封装。经过6年多的发展,芯联集成现在是国内最大的车规级IGBT芯片、SiC MOS、MEMS传感器芯片制造商,为多家头部新动力车企代工碳化硅芯片,赶紧发展成国内当先的汽车芯片公司,成为我国汽车芯片鸿沟的一颗“启明星”。

  从6英寸到8英寸

  “与传统硅基器件比拟,碳化硅四肢第三代半导体材料,具有优于硅基半导体的低阻值性情,简略同期完了‘高耐压’、‘低导通电阻’和‘高速’等性能,进而完了更高的系统效果、更低的损耗和空间微型化,因此在电能治疗中得到大限度讹诈。”芯联集成总司理赵奇在袭取证券时报记者专访时示意。

  碳化硅是一种新兴的高性能半导体材料,汽车是碳化硅最主要的讹诈市集之一。比年来,国内新动力汽车市集的快速增长,带动碳化硅器件和模组的需求量不竭攀升。现在碳化硅主要讹诈于新动力汽车里面的环节电力系统,包括主驱逆变器、车载充电器(OBC)和DC-DC治疗器,同期光伏鸿沟也在大的光伏电站开动尝试使用碳化硅。

  然则,资本偏高与产能有限,成为了隔绝碳化硅器件进入大限度讹诈的环节性问题。在此布景下,从6英寸向8英寸推广则是破解碳化硅资本过高艰难的一条最好旅途。碳化硅晶圆尺寸越大,单元芯片资本越低,因此从6英寸向8英寸转型升级已成为产业发展的势在必行。

  放眼民众,国表里各大厂家均在加快通关8英寸碳化硅晶圆,半导体“大厂”科锐、意法及英飞凌等纷纷在斥地8英寸产线。举例英飞凌在8月8日通告,其位于马来西亚居林的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂一期面容崇拜启动运营。中国企业也早已加入碳化硅产业的升级转型之中,尤其在衬底制备鸿沟已具备彰着的竞争力。

  从6英寸碳化硅“器件制造”到8英寸碳化硅,需要冲破的本事难点在于那处?赵奇示意,现阶段,主要需要治理碳化硅衬底在坐蓐中的翘曲问题。“8英寸硅基衬底厚度为0.725毫米。碳化硅固然晶体很硬,但为了让衬底片更低廉,需要比硅更薄,比如0.35毫米。这个厚度在6英寸时还有一定刚性,到8英寸就会出现翘曲。翘曲之后,衬底片就不在一个平面上,真空吸不住。”赵奇说。

  碳化硅的产业链主要包括衬底、外延、器件盘算推算、晶圆制造、模块封装等行为,其中该产业链约70%的价值量蚁合会在衬底和外延这两个行为。赵奇告诉记者,现阶段6英寸碳化硅衬底和外延在国内还是能全齐完了自主供应,8英寸的也已进入下线考证阶段。

  “芯联集成很早之前就开动为碳化硅向8英寸推广作念准备,一方面是把6英寸作念起来,积存本事;另外通过跟6英寸供应商的和谐,也开动让他们作念8英寸。当咱们阐述衬底和外延的8英寸还是差未几不错作念出来,就启动了8英寸器件制造产线。”赵奇先容谈。

  回溯芯联集成的碳化硅斥地之路,其于2021年年底开动投建碳化硅推敲产线,在2022年开动陆续造成产能。2023年,芯联集成开动斥地国内第一条8英寸碳化硅器件产线,以期用此来带动国内8英寸衬底、外延、器件坐蓐的扫数这个词链条,赶上海外主流厂商们的布局。本年4月份,芯联集成的8英寸碳化硅工程批居品奏凯下线,鲜艳着该公司成为国内首家投产8英寸碳化硅的晶圆厂。

  关于碳化硅业务的改日发展,赵奇示意,芯联集成的主义是2024年碳化硅营收超10亿元,并期待在改日两三年能完了更高的民众市集份额。

  本事创新引颈蝶变

  在国内率先投产8英寸碳化硅的芯联集成,究竟是一家什么样的企业?

  芯联集成2018年脱胎于中芯国际的特色工艺奇迹部,中枢本事东谈主员深耕半导体行业几十年。该公司于2023年在科创板上市,是一家勤劳于为新动力产业、智能化产业提供中枢芯片和模组的公司。建树6年以来,芯联集成已成长为国内最大的IGBT、SiC MOS、MEMS传感器芯片制造商,居品不错笼罩特出70%的汽车芯片种类。

  芯联集成之是以简略在6年时老实完了高速成长,背后的环节“密码”有二,一方面在于踏准了新动力汽车等赶紧发展的节律,另一方面则在于不竭保持高强度研发插足。自2018年建树以来,芯联集成每年会将销售收入的约30%插足研发中,2024年上半年,该公司共计研发插足8.69亿元,比上年同期增长33.75%。同期芯联集成在研发东谈主员数目、累计授权专利数目等方面也连续保持增长。

  赵奇示意,在不竭高强度研发插足之下,芯联集成从最早只好MEMS(微机电系统集成电路)、功率器件,2019年发展功率模块业务,2020年研发出高压模拟IC和BCD平台,2021年切入SiC MOS(碳化硅),2022年开动作念激光雷达,到2023年推广至MCU(单片机)。“走一步、看三步、每年进入新的本事鸿沟,这是芯联集成自建树以来秉持的主义,芯联集成每年齐会进入至少一个国内尚显薄弱的新鸿沟、新标的伸开研发,并通过快速迭代在两三年内达到国内当先水平。”赵奇向记者示意。

  基于对研发插足的爱重,芯联集成不仅收拢了车载激光雷达、高端麦克风等鸿沟带来的市集增量,也进一步牢固了碳化硅、模拟IC、车载功率等三大中枢居品鸿沟的地位。

  不外,从插足研发到告成产生见效的经由并非一蹴而就,芯联集成也在研发之中面对过不少挑战。举例,碳化硅器件资本较高的问题并不好治理,就现在价钱来看,8英寸碳化硅晶圆资本仍然高于6英寸。

  “为了治理碳化硅资本高的问题,咱们通过培植产业链全体良率、晶圆尺寸的增大以及器件的放松来裁汰资本。此外,公司还通过斥地国内首条8英寸SiC MOSFET产线,以期在新兴电力电子市集合取得更大的竞争上风。”赵奇示意。

  本年6月,芯联集成发布公告,拟通过刊行股份及支付现款的神态收购控股子公司芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司(下称“芯联越州”)剩余72.33%股权。完成来去后,芯联集成将100%控股芯联越州。

  这次芯联集成谋略收购的芯联越州,领有7万片/月的硅基产能、0.5万片/月的6英寸SiC(碳化硅) MOSFET产能,同期在高压模拟IC等高本事平台上进行了前瞻布局。其6英寸SiC MOSFET出货量国内第一,手里还抓有国内第一条8英寸产线。数据高傲,2023年芯联越州6英寸SiC MOSFET出货量已达国内第一,在该项收购完成后,芯联越州有望成为芯联集成改日8英寸碳化硅产线扩大坐蓐的主要载体。

  刻下,芯联集成已造成以IGBT、MOSFET、MEMS为主的8英寸硅基芯片、模组产线的第一增长弧线;以SiC MOSFET芯片及模组产线为代表的第二增长弧线;以高压、大功率BCD工艺为主的模拟IC为第三增长弧线,三条增长弧线将笼罩不同的居品鸿沟和讹诈标的。改日,芯联集成将束缚拓展新址品线,并谋略于本年下半年推出高可靠性、高性能专用MCU平台。

  加码AI鸿沟布局

  着眼于最新市集变化,生成式东谈主工智能(AI)加快浸透民众行业,芯联集成正在积极布局AI、数据中心等新兴市集,曩昔三年,芯联集成在AI标的累计投资特出20亿元,为其下一步发展带来遥远的增长动能。

  2024年上半年,芯联集成讹诈于AI工作器多相电源的0.18um BCD工艺居品告成量产,脱落是芯联集成面向数据中心工作器的55nm高效果电源照应芯片平台本事已取得客户紧要面容定点。

  从功绩上来看,AI给芯联集成带来云霄工作器推敲业务的新增长,AI需求的爆发也驱动芯联集成2024年半年度功绩增长。芯联集成2024年上半年贸易收入为28.80亿元,同比增长14.27%,在AI需求的鼓吹下,其新动力汽车业务板块营收孝顺48%。

  赵奇指出,跟着AI算力需求的束缚增长,集成电路细分鸿沟中模拟IC业务也因此保持着领悟增长。电源照应芯片是一种模拟IC,其盘算推算的根基在于讹诈最凡俗的模拟工艺本事BCD(单片集成工艺)。芯联集成是少有的领有高压、低压BCD全平台,同期在特色工艺和特色器件上发力的晶圆厂,现在已在业务上取得试验性推崇。

  2024年上半年,芯联集成在模拟IC芯片鸿沟新发布四个车规级平台,其中数模羼杂镶嵌式遏抑芯片制造平台填补了国内高压大功率数字模拟羼杂信号集成IC的空缺;高边智能开关芯片制造平台、高压BCD 120V平台对应的本事为国内该鸿沟的稀缺本事;高压SOI BCD平台对应的本事位于国内当先水平。同期,该公司取得国内多个车企和Tier1面容定点。

  “上半年,多个集成化的BCD工艺平台发力,填补了国内空缺,瞻望2024年到2026年,模拟IC将成为公司增长最快的部分。”赵奇对记者示意。

  据赵奇线路,芯联集成将束缚拓宽业务鸿沟,全面布局高增长的AI高速工作器鸿沟,为AI工作器电源,AI集群通讯等多个AI系统提供齐全的电源照应芯片和模组的代工工作,为居品公司打造国内AI工作器电源代工决策提供本事撑持和大限度高质地托福保险。

  赵奇同期强调,“改日,芯联集成将连续加大研发插足,鼓吹本事创新,完了高水平科技自立自立,为中国半导体产业的自主可控发展作念出更大的孝顺,并争取在民众半导体行业中占据更病笃的地位,成为引颈新动力与智能化改造的病笃力量。”